Semua produk
-
Pak PatrickRespon cepat dan pemahaman penuh akan kebutuhan pelanggan, sikap pelayanan yang baik, kami setuju dengan layanan Anda. -
Tuan HarrisonSikap pelayanan yang serius, serta produk berkualitas tinggi layak mendapatkan kepercayaan semua orang.
-
AnnaIni adalah pembelian yang sempurna. Kemampuan perusahaan Anda dalam menawarkan harga bersaing dan produk berkualitas sangat mengagumkan.
Kontak Person :
will
Nomor telepon :
13418952874
IMZ120R090M1H INFINEON N Channel Mosfet Diode 1200 V 26A Tc 115W Tc Melalui Lubang PG-TO247-4-1
| Tempat asal | Amerika Serikat |
|---|---|
| Nama merek | Infineon Technologies |
| Sertifikasi | RoHS |
| Nomor model | IMZ120R090M1H |
| Kuantitas min Order | 30 BUAH |
| Harga | Negotiable |
| Kemasan rincian | 30 BUAH/Tabung |
| Waktu pengiriman | 2-3 hari |
| Syarat-syarat pembayaran | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Menyediakan kemampuan | 18K BUAH |
Contact me for free samples and coupons.
Whatsapp:0086 18588475571
Wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
If you have any concern, we provide 24-hour online help.
xDetail produk
| Kategori | FET tunggal, MOSFET | Mfr | Teknologi Infineon |
|---|---|---|---|
| Seri | CoolSiC | Status produk | Aktif |
| Tipe FET | Saluran-N | Teknologi | SiCFET (Silikon Karbida) |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 1200 V | Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V | Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 3.7mA | Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 21 nC @ 18 V |
| Vg (Maks) | +23V, -7V | Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 707 pF @ 800 V |
| Disipasi Daya (Maks) | 115W (Tc) | Suhu Operasional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Melalui lubang | Paket Perangkat Pemasok | PG-TO247-4-1 |
| Paket / Kasus | KE-247-4 | ||
| Cahaya Tinggi | n channel mosfet diode,IMZ120R090M1H INFINEON,diode melalui lubang |
||
Deskripsi Produk
IMZ120R090M1H N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) Melalui Lubang PG-TO247-4-1
Fitur:IMZ120R090M1H
| Kategori | FET tunggal, MOSFET |
| Mfr | Teknologi Infineon |
| Seri | CoolSiC |
| Kemasan | Tabung |
| Status Produk | Aktif |
| Tipe FET | Saluran-N |
| Teknologi | SiCFET (Silikon Karbida) |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 1200 V |
| Arus - Pembuangan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 3.7mA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 21 nC @ 18 V |
| Vg (Maks) | +23V, -7V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 707 pF @ 800 V |
| Disipasi Daya (Maks) | 115W (Tc) |
| Suhu Operasional | -55°C~175°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Melalui Lubang |
| Paket Perangkat Pemasok | PG-TO247-4-1 |
| Paket / Kasus | KE-247-4 |
| Nomor Produk Dasar | IMZ120 |
Sumber daya tambahan
| ATRIBUT | KETERANGAN |
| Nama lain | 448-IMZ120R090M1HXKSA1 |
| IMZ120R090M1HXKSA1-ND | |
| SP001946182 | |
| Paket standar | 30 |
|
±
|
Rekomendasi Produk