Semua produk
-
Pak PatrickRespon cepat dan pemahaman penuh akan kebutuhan pelanggan, sikap pelayanan yang baik, kami setuju dengan layanan Anda. -
Tuan HarrisonSikap pelayanan yang serius, serta produk berkualitas tinggi layak mendapatkan kepercayaan semua orang.
-
AnnaIni adalah pembelian yang sempurna. Kemampuan perusahaan Anda dalam menawarkan harga bersaing dan produk berkualitas sangat mengagumkan.
Kontak Person :
will
Nomor telepon :
13418952874
IPP65R110CFDA Diode Transistor Dan Thyristor N-Channel 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3
| Tempat asal | Amerika Serikat |
|---|---|
| Nama merek | Infineon Technologies |
| Sertifikasi | RoHS |
| Nomor model | BUF420AW |
| Kuantitas min Order | 50 BUAH |
| Harga | Negotiable |
| Kemasan rincian | 50 BUAH/Tabung |
| Waktu pengiriman | 2-3 hari |
| Syarat-syarat pembayaran | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Menyediakan kemampuan | 6K BUAH |
Contact me for free samples and coupons.
Whatsapp:0086 18588475571
Wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
If you have any concern, we provide 24-hour online help.
xDetail produk
| Kategori | FET tunggal, MOSFET | Mfr | Teknologi Infineon |
|---|---|---|---|
| Seri | Otomotif, AEC-Q101, CoolMOS™ | Status produk | Aktif |
| Tipe FET | Saluran-N | Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 650 V | Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 31,2A (Tc) |
| Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA | Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Vg (Maks) | ±20V | Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 3240 pF @ 100 V |
| Disipasi Daya (Maks) | 277,8W (Tc) | Suhu Operasional | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Melalui lubang | Paket Perangkat Pemasok | PG-TO220-3 |
| Paket / Kasus | KE-220-3 | Nomor Produk Dasar | IPP65R110 |
| Cahaya Tinggi | Dioda 650 V 31.2A Tc 277.8W IPP65R110CFDA,Dioda 650 V 31.2A 277.8W IPP65R110CFDA,Dioda 650 V 277.8W IPP65R110CFDA |
||
Deskripsi Produk
IPP65R110CFDA N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Melalui Lubang PG-TO220-3
Fitur:
| Kategori | FET tunggal, MOSFET |
| Mfr | Teknologi Infineon |
| Seri | Otomotif, AEC-Q101, CoolMOS |
| Status Produk | Aktif |
| Tipe FET | Saluran-N |
| Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 650 V |
| Arus - Pembuangan Berkelanjutan (Id) @ 25ﾂｰC | 31,2A (Tc) |
| Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Vg (Maks) | ±20V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 3240 pF @ 100 V |
| Disipasi Daya (Maks) | 277,8W (Tc) |
| Suhu Operasional | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Melalui Lubang |
| Paket Perangkat Pemasok | PG-TO220-3 |
| Paket / Kasus | KE-220-3 |
| Nomor Produk Dasar | IPP65R110 |
Sumber daya tambahan
| ATRIBUT | KETERANGAN |
| Nama lain | IPP65R110CFDAAKSA1-ND |
| 448-IPP65R110CFDAAKSA1 | |
| SP000895234 | |
| Paket standar | 50 |
|
±
|
Rekomendasi Produk