Semua produk
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Pak Patrick
    Respon cepat dan pemahaman penuh akan kebutuhan pelanggan, sikap pelayanan yang baik, kami setuju dengan layanan Anda.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Tuan Harrison
    Sikap pelayanan yang serius, serta produk berkualitas tinggi layak mendapatkan kepercayaan semua orang.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Anna
    Ini adalah pembelian yang sempurna. Kemampuan perusahaan Anda dalam menawarkan harga bersaing dan produk berkualitas sangat mengagumkan.
Kontak Person : will
Nomor telepon : 13418952874

IPP65R110CFDA Daya Tinggi N Channel Mosfet Logic Level N 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3

  • IPP65R110CFDA High Power N Channel Mosfet Logic Level N 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3
Tempat asal Amerika Serikat
Nama merek Infineon Technologies
Sertifikasi RoHS
Nomor model IPP65R110CFDA
Kuantitas min Order 50 BUAH
Harga Negotiable
Kemasan rincian 50 BUAH/Tabung
Waktu pengiriman 2-3 hari
Syarat-syarat pembayaran L/C, D/A, D/P, T/T
Menyediakan kemampuan 6K BUAH

Contact me for free samples and coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

Wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

If you have any concern, we provide 24-hour online help.

x
Detail produk
Kategori FET tunggal, MOSFET Mfr Teknologi Infineon
Seri Otomotif, AEC-Q101, CoolMOS™ Status produk Aktif
Tipe FET Saluran-N Teknologi MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 650V Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 31,2A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.3mA Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 118 nC @ 10 V
Vg (Maks) ±20V Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 3240 pF @ 100 V
Disipasi Daya (Maks) 277,8W (Tc) Suhu Operasional -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Melalui lubang Paket Perangkat Pemasok PG-TO220-3
Cahaya Tinggi

IPP65R110CFDA

,

daya tinggi n saluran mosfet

,

tingkat logika n saluran mosfet
Tinggalkan pesan
Deskripsi Produk

IPP65R110CFDA N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Melalui Lubang PG-TO220-3

 

Fitur:IPP65R110CFDA

Kategori FET tunggal, MOSFET
Mfr Teknologi Infineon
Seri Otomotif, AEC-Q101, CoolMOS
Status Produk Aktif
Tipe FET Saluran-N
Teknologi MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 650 V
Arus - Pembuangan Berkelanjutan (Id) @ 25ﾂｰC 31,2A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.3mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 118 nC @ 10 V
Vg (Maks) ±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 3240 pF @ 100 V
Disipasi Daya (Maks) 277,8W (Tc)
Suhu Operasional -40°C~ 150°C(TJ)
Tipe Pemasangan Melalui Lubang
Paket Perangkat Pemasok PG-TO220-3
Paket / Kasus KE-220-3
Nomor Produk Dasar IPP65R110

Sumber daya tambahan

ATRIBUT KETERANGAN
Nama lain IPP65R110CFDAAKSA1-ND
  448-IPP65R110CFDAAKSA1
  SP000895234
Paket standar 50

Gambar data:https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
 
IPP65R110CFDA Daya Tinggi N Channel Mosfet Logic Level N 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 0
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

±
Tag:

IPP65R110CFDA

IPB0401NM5S

tingkat logika n saluran mosfet